|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
A study of nonlinear lasing dynamics of an InGaAs/AlGaAs/GaAs heterostructure power laser-thyristor emitting at 905nmстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Информация о цитировании статьи получена из
Web of Science,
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 27 сентября 2019 г.
- Авторы: Slipchenko S.O., Podoskin A.A., Rozhkov A.V., Pikhtin N.A., Tarasov I.S., Bagaev T.A., Konyaev V.P., Ladugin M.A., Marmalyuk A.A., Padalitsa A.A., Simakov V.A.
- Журнал: Journal of Applied Physics
- Том: 116
- Год издания: 2014
- Издательство: AIP Publishing
- Местоположение издательства: United States
- Первая страница: 084503
- DOI: 10.1063/1.4893956
- Аннотация: The results obtained demonstrate that the lasing dynamics reflects the current dynamics formed as a result of complex nonlinear couplings within the laser-thyristor heterostructure. The observed specific features mainly result from the appearance of new channels for generation of excess carriers in the p-base. These channels enhance the main optical activation channel formed by the photogeneration due to the absorption of the spontaneous emission from the active region of the laser part of the heterostructure. The additional channels of excess carrier generation may have an optical nature in the case of scattered laser light upon appearance of new high-Q modes. For nearly critical blocked voltages, generation of carriers can be initiated by an avalanche multiplication of photogenerated carriers.
- Добавил в систему: Багаев Тимур Анатольевич