Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типастатья
Статья опубликована в журнале из списка RSCI Web of Science
Статья опубликована в журнале из перечня ВАК
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 мая 2021 г.
Аннотация:Исследованы характеристики гетероструктур на основе соединений InAs, GaSb, AlSb или их твердых растворов. С использованием многозонного приближения метода эффективной массы найдены выражения для коэффициентов прохождения квазичастиц (электрона или легкой дырки) при их туннелировании в таких структурах. Рассмотрен случай нормального падения электрона или легкой дырки на гетерограницу, когда состояния тяжелой дырки не участвуют в процессе туннелирования. Показано, что эффекты превращения квазичастиц на гетерограницах играют существенную роль в функционировании приборов на основе рассматриваемых материалов.