Semiclassical interband tunnelling probability in semiconductor heterostructuresстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus,
Web of Science
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 11 мая 2021 г.
Аннотация:Построена квазиклассическая теория для межзонного туннелирования.
A new semiclassical method to calculate the characteristics of interband tunnelling devices is proposed. This method generalizes the approach developed earlier for the case of interfaces non-perpendicular to the particle wavevector. It allows one to obtain analytical expressions for the tunnelling probability T in semiconductor structures with abrupt heterojunctions. The characteristics of InAs/AlGaSb/InAs, InAs/AlGaSb/GaSb diodes are calculated using the developed method. All results are compared with those from the classical WKB approach and the transfer matrix method to determine the tunnelling probability.
На статью есть ссылка авторов Семенихин И.А., Захарова А.А., Chao K.A. в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 20, с. 57-65.
Статья цитируется в работе
Gergel V.A., Khrenov G.Yu, Lapushkin I.Yu, Shchamkhalova B.S., Zakharova A.A.
в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 13, с. 16-25 (2009).