|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
9 Всероссийская конференция по физике полупроводников “Полупроводники – 2009”, 3 октября, Новосибирск - Томск Тезисы докладов, с.28 сентября 203 Влияние микро- и наноструктуры на прыжковый перенос в неупорядоченных полупроводникахтезисы доклада
- Автор: Звягин И.П.
- Сборник: IX Российская конференция по физике полупроводников «Полупроводники-2009»
- Том: 28
- Тезисы
- Год издания: 2009
- Первая страница: 203
- Последняя страница: 203
- Добавил в систему: Звягин Игорь Петрович