|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Strained Si and SiGe tunnel-FETs and complementary tunnel-FET inverters with minimum gate lengths of 50nmстатья
Информация о цитировании статьи получена из
Scopus
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus
Дата последнего поиска статьи во внешних источниках: 15 февраля 2024 г.
- Авторы: Knoll L., Richter S., Nichau A., Trellenkamp S., Schäfer A., Bourdelle K.K., Hartmann J.M., Zhao Q.T., Mantl S.
- Журнал: Solid-State Electronics
- Том: 97
- Год издания: 2014
- Издательство: Pergamon Press Ltd.
- Местоположение издательства: United Kingdom
- Первая страница: 76
- Последняя страница: 81
- DOI: 10.1016/j.sse.2014.04.025
- Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович