|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Hole Mobilities of $\hbox{Si/Si}_{0.5}\hbox{Ge}_{0.5}$ Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOIстатья
Статья опубликована в высокорейтинговом журнале
Статья опубликована в журнале из списка Web of Science и/или Scopus- Журнал: IEEE Electron Device Letters
- Том: 33
- Номер: 6
- Год издания: 2012
- Издательство: Institute of Electrical and Electronics Engineers
- Местоположение издательства: Piscataway, NJ, United States
- Первая страница: 758
- Последняя страница: 760
- DOI: 10.1109/led.2012.2190035