Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
IEEE Electron Device Letters
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Издательство:
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Местоположение издательства:
Piscataway, NJ, United States
ISSN:
0741-3106 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
2015
Low-Cost Chemical Sensing Platform With Organic Polymer Functionalization
Kaisti Matti
,
Knuutila Aapo
,
Boeva Zhanna
,
Kvarnstrom Carita
,
Levon Kalle
в журнале
IEEE Electron Device Letters
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 36, № 8, с. 844-846
DOI
2013
Inverters With Strained Si Nanowire Complementary Tunnel Field-Effect Transistors
Knoll Lars
,
Zhao Qing-Tai
,
Nichau Alexander
,
Trellenkamp Stefan
,
Richter Simon
,
Schafer Anna
,
Esseni David
,
Selmi Luca
,
Bourdelle Konstantin K.
,
Mantl Siegfried
в журнале
IEEE Electron Device Letters
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 34, № 6, с. 813-815
DOI
2012
Hole Mobilities of $\hbox{Si/Si}_{0.5}\hbox{Ge}_{0.5}$ Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI
в журнале
IEEE Electron Device Letters
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 33, № 6, с. 758-760
DOI
2012
Hole Mobilities of $\hbox{Si/Si}_{0.5}\hbox{Ge}_{0.5}$ Quantum-Well Transistor on SOI and Strained SOI
в журнале
IEEE Electron Device Letters
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 33, № 6, с. 758-760
DOI
2012
Hole Transport in Strained $\hbox{Si}_{0.5} \hbox{Ge}_{0.5}$ QW-MOSFETs With $\langle\hbox{110}\rangle$ and $\langle\hbox{100}\rangle$ Channel Orientations
Minamisawa R.A.
,
Schmidt M.
,
Knoll L.
,
Buca D.
,
Zhao Q.T.
,
Hartmann J.M.
,
Bourdelle K.K.
,
Mantl S.
в журнале
IEEE Electron Device Letters
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 33, № 8, с. 1105-1107
DOI
2012
Scaling of Trigate Junctionless Nanowire MOSFET With Gate Length Down to 13 nm
Barraud S.
,
Berthome M.
,
Coquand R.
,
Casse M.
,
Ernst T.
,
Samson M.P.
,
Perreau P.
,
Bourdelle K.K.
,
Faynot O.
,
Poiroux T.
в журнале
IEEE Electron Device Letters
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 33, № 9, с. 1225-1227
DOI
2011
Integration of $\hbox{LaLuO}_{3} \ (\kappa \sim \hbox{30})$ as High-$\kappa$ Dielectric on Strained and Unstrained SOI MOSFETs With a Replacement Gate Process
Durgun Ozben E.
,
Mantl S.
,
Lopes J.M.J
,
Nichau A.
,
Schnee M.
,
Lenk S.
,
Besmehn A.
,
Bourdelle K.K.
,
Zhao Q.T.
,
Schubert J.
в журнале
IEEE Electron Device Letters
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 32, № 1, с. 15-17
DOI
2001
The effect of fluorine from BF<sub>2</sub> source/drain extension implants on performance of PMOS transistors with thin gate oxides
Bourdelle K.K.
,
Gossmann H.J L
,
Chaudhry S.
,
Agarwal A.
в журнале
IEEE Electron Device Letters
, издательство
Institute of Electrical and Electronics Engineers
(Piscataway, NJ, United States)
, том 22, № 6, с. 284-286
DOI