First CMOS integration of ultra thin body and BOX (UTB&lt;sup&gt;2&lt;/sup&gt;) structures on bulk direct silicon bonded (DSB) wafer with multi-surface orientations

Bidal, G.; Boeuf, F.; Denorme, S.; Laviron, C.; Bourdelle, K.; Loubet, N.; Campidelli, Y.; Beneyton, R.; Moriceau, H.; Fournel, F.; Morin, P.; Barnola, S.; Salvetat, T.; Perreau, P.; Gouraud, P.; Leverd, F.; Le-Gratiet, B.; Huguenin, J.L.; Fleury, D.; Kusiaku, K.; Cros, A.; Leyris, C.; Haendler, S.; Borowiak, C.; Clement, L.; Pantel, R.; Ghibaudo, G.; Skotnicki, T.

First CMOS integration of ultra thin body and BOX (UTB<sup>2</sup>) structures on bulk direct silicon bonded (DSB) wafer with multi-surface orientationsстатья

Авторы: Bidal G., Boeuf F., Denorme S., Laviron C., Bourdelle K., Loubet N., Campidelli Y., Beneyton R., Moriceau H., Fournel F., Morin P., Barnola S., Salvetat T., Perreau P., Gouraud P., Leverd F., Le-Gratiet B., Huguenin J.L., Fleury D., Kusiaku K., Cros A., Leyris C., Haendler S., Borowiak C., Clement L., Pantel R., Ghibaudo G., Skotnicki T.
Сборник: 2009 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Год издания: 2009
Место издания: IEEE
DOI: 10.1109/iedm.2009.5424247
Добавил в систему: Бурдель Константин Константинович

	ИСТИНА	Войти в систему Регистрация
	ИПМех РАН
	Главная Поиск Статистика О проекте Помощь

ИСТИНА

ИПМех РАН

First CMOS integration of ultra thin body and BOX (UTB&lt;sup&gt;2&lt;/sup&gt;) structures on bulk direct silicon bonded (DSB) wafer with multi-surface orientationsстатья

First CMOS integration of ultra thin body and BOX (UTB<sup>2</sup>) structures on bulk direct silicon bonded (DSB) wafer with multi-surface orientationsстатья