|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Температурные эффекты и механизмы воздействия атомов O, N и F на SiOCH нанопористые диэлектрикистатья
- Авторы: Лопаев Д.В., Рахимова Т.В., Манкелевич Ю.А., Воронина Е.Н.
- Журнал: Вестник Российского фонда фундаментальных исследований
- Том: 118
- Номер: 2
- Год издания: 2023
- Издательство: РФФИ
- Местоположение издательства: М.
- Первая страница: 77
- Последняя страница: 87
- DOI: 10.22204/2410-4639-2023-118-02-77-87
- Аннотация: Понимание детальных механизмов воздействия активных радикалов на SiOCH нанопористые диэлектрики с низкой диэлектрической проницаемостью k, используемые в качестве межслойных SiOCH low-k-диэлектриков в новом поколении интегральных схем, важно для разработки рецептов уменьшения деградации low-k-диэлектриков в технологическихпроцессах плазмохимической обработки. В данной работе экспериментально и теоретически исследованы особенности этих механизмов взаимодействия атомов фтора, азота и кислорода с low-k-диэлектриками с разными размерами пор и степенью пористости. Образцы при пониженных температурах обрабатывались атомами O, N и F в плазме вниз по потоку индуктивного разряда (ICP discharge downstream) в O2, N2 и SF6 газах соответственно. Понижение температуры приводило к различным (для разных атомов) замедлениям деградации поверхностных CH3-групп, обеспечивающих гидрофобность пористой среды и низкие значения k диэлектриков. Анализ полученных результатов с использованием DFT (density functional theory) расчетов и ab initio МД (молекулярная динамика) моделирования реакционных механизмов выявили разветвленные реакции атомов с поверхностными Si–СН3-группами и с другими последовательно образующимися группами.
- Добавил в систему: Лопаев Дмитрий Викторович