|
ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
ИПМех РАН |
||
Электрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремнийстатья
- Авторы: Горошко Д.Л., Гаврилин И.М., Дронов А.А., Горошко О.А., Волкова Л.С., Гревцов Н.Л., Чубенко Е.Б., Бондаренко В.П.
- Журнал: Известия Вузов сер. электроника
- Том: 28
- Номер: 6
- Год издания: 2023
- Первая страница: 734
- Последняя страница: 744
- DOI: 10.24151/1561-5405-2023-28-6-734-744
- Аннотация: Материалы на основе пористых пленок сплава Si1-хGeх (0<х<1) находят свое применение в перспективных термоэлектрических преобразователях и литий-ионных аккумуляторах. Недавно нами был апробирован простой и эффективный метод формирования таких пленок путем электрохимического осаждения германия в матрицу пористого кремния с последующим быстрым термическим отжигом при температуре 1223 К продолжительностью 5-30 сек. Анализ электрофизических параметров пленок сплава со средним х=0.47, сформированных этим методом, на неотделенных от подложки пленках осложняется шунтирующим вкладом использованных подложек с удельным сопротивлением 12 и 20 Ом×см. Этот вклад исчезает при температуре менее 200-250 К для пленок сплава со сквозными порами, а для сплошной пленки – отсутствует и при комнатной температуре за счет гетеробарьера в области интерфейса пленка сплава/подложка. Результаты гальваномагнитных исследований в диапазоне 30-300 К показали, что, как и в чистых кремнии и германии сравнимой пористости, электропроводность в исследованных образцах можно рассматривать как по среде с пустотами. Поэтому тип основных носителей заряда в сплаве определяется типом использованной кремниевой подложки, что практически важно для создания обоих плеч термоэлектрического преобразователя.
- Добавил в систему: Гаврилин Илья Михайлович