Известия Вузов сер. электроникажурнал

Статьи, опубликованные в журнале

---

• • 2023 Двумерное моделирование эмиттерного p–n+-перехода кремниевого n–p–n-транзистора в прямоугольной и цилиндрической системах координат
  • Лагунович Н.Л.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, том 28, № 5, с. 621-628 DOI
• • 2023 Электрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремний
  • Горошко Д.Л., Гаврилин И.М., Дронов А.А., Горошко О.А., Волкова Л.С., Гревцов Н.Л., Чубенко Е.Б., Бондаренко В.П.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, том 28, № 6, с. 734-744 DOI
• • 2019 Thermal Stabilization of Geometric Parameters of a Silver Nanoparticles Array Obtained by Vacuum-Thermal Evaporation on Unheated Substrate
  • Gromov D.G., Dubkov S.V., Eritsyan G.S., Savitsky A.I., Bykov V.A., Bobrov Yu A.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, том 24, № 6, с. 557-564 DOI
• • 2015 Быстродействующие биологические сенсоры на основе однослойных углеродных нанотрубок, модифицированных специфичными аптамерами
  • Ахмадишина К.Ф., Бобринецкий И.И., Комаров И.А., Маловичко А.М., Неволин В.К., Фёдоров Г.Е., Головин А.В., Залевский А.О., Айдарханов Р.Д.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, том 20, № 2, с. 137-144
• • 2014 Определение среднего радиуса рассеивающих частиц биологической среды по фактору анизотропии
  • Терещенко С.А., Максимова Е.О., Гавриков А.И.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 2, с. 77-80
• • 2013 «Разработка электродов на основе композита кремний-углеродные нанотрубки для литиевых аккумуляторов повышенной емкости
  • Галперин В.А., Кицюк Е.П., Скундин А.М., Тусеева Е.К., Кулова Т.Л., Шаман Ю.П., Скорик С.Н.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, том 4, № 102, с. 38-43
• • 2013 Определение фактора анизотропии рассеивающей среды с помощью метода Монте-Карло
  • Терещенко С.А., Титенок С.А.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 2, с. 93-95
• • 2013 Семейства аппаратных функций гексагональных кодирующих коллиматоров
  • Терещенко С.А., Федоров Г.А., Антаков М.А., Бурнаевский И.С.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 5, с. 70-74
• • 2012 Диффузионная модель переноса излучения в слаборассеивающих средах
  • Терещенко С.А., Титенок С.А.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 1, с. 93-94
• • 2012 Применение метода Монте-Карло для определения точности диффузионных моделей прохождения оптического излучения через однородный рассеивающий слой
  • Терещенко С.А., Титенок С.А., Долгушин С.А.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 3, с. 69-74
• • 2012 Учёт преломления света в методе ро-фильтрации томографической реконструкции поглощающих объектов
  • Терещенко С.А., Антаков М.А.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 4, с. 93-94
• • 2010 Определение коэффициентов поглощения и рассеяния сильнорассеивающих сред на основе измерений временных распределений интенсивности лазерных импульсов
  • Данилов А.А., Терещенко С.А., Пьянов И.В., Гавриков А.И.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 4, с. 3-7
• • 2003 Барьерная емкость диодных структур на основе компенсированных полупроводников с глубокими примесными уровнями
  • Мурыгин В.И., Лосев В.В., Гундырев В.Б.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 4, с. 13-19
• • 2001 Моделирование отражения волн в плазменном СВЧ-генераторе
  • Карташов И.Н., Красильников М.А., Кузелев М.В., Рухадзе А.А.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 4, с. 38-46
• • 1999 Сегнетоэлектрический композиционный материал для конденсаторных толстых пленок
  • Шишкарев В.В., Булярский С.В., Соколовский В.Р.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 5, с. 21-26
• • 1998 К вопросу о возможности квантовых неразрушающих измерений при трехмодовом параметрическом преобразовании
  • Пенин А.Н., Прудковский П.А.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 3, с. 25-29
• • 1998 Разработка и исследование маг-нитоплазмодинамического генератора кислородной плазмы для технологических приложений
  • Кубарев Ю.В., Черник В.Н.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 4, с. 189-193
• • 1998 Распределение зарядов в окисном слое структур Si-SiO2, подвергнутых имплантации и отжигу. Известия ВУЗов
  • Барабан А.П., Кузнецова А.А., Малявка Л.В., Шишлова А.В.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 4, с. 17-20
• • 1996 Особенности разработки коаксиальных лазеров на М-модах
  • Короленко П.В., Кауль С.И., Ковалевский В.Л., Федотов Н.Н.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 1-2, с. 55-58
• • 1996 Радиочастотный масс-спектрометрический метод диаг-ностики потоков заряженных и нейтральных частиц
  • Кубарев Ю.В., Похунков А.А., Росинский С.Е., Тарасов В.М., Черник В.Н.
  • в журнале Известия Вузов сер. электроника, № 1-2, с. 77-81