Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Влияние дислокаций на внутреннюю квантовую эффективность светоизлучающих структур на основе квантовых ям InGaN/GaN
тезисы доклада
Авторы:
Войцеховский А.В.,
Кульчицкий Н.А.
, Мельников А.А., Несмелов С.Н.
Сборник:
Тезисы докладов 2-ой международной научно-технической конференции «Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике
Тезисы
Год издания:
2011
Место издания:
Зеленоград
Первая страница:
190
Добавил в систему:
Кульчицкий Николай Александрович