ИСТИНА |
Войти в систему Регистрация |
|
ИПМех РАН |
||
Исследованы электрические и фотоэлектрические параметры пленок a-Si:H, полученных в различных технологических режимах. Определены условия получения пленок аморфного гидрированного кремния с оптимальными фотоэлектрическими параметрами. Исследованы изменения фотоэлектрических параметров нелегированных, слабо легированных фосфором и бором, а также компенсированных пленок под влиянием освещения. Предположены механизмы этих изменений, определяющие деградацию материала.