ИСТИНА

Исследовано влияния концентрации эрбия на изменение электрических, фотоэлектрических и оптических параметров пленок аморфного гидрированного кремния, легированных эрбием, в результате предварительного освещения. Проведено сравнение с соответствующими результатами для пленок a-Si:H, легированных мышьяком. Установлено, что легирование a-Si:H эрбием приводит к большему разупорядочению структуры по сравнению с легированием a-Si:H мышьяком. Проведены исследования влияние высокотемпературного отжига на темновую проводимость пленок a-Si:H двух типов: однородных и слоистых пленок. Однородные пленки были приготовлены методом непрерывного осаждения в плазме ВЧ тлеющего разряда. Слоистые пленки были приготовлены циклическим повторением осаждения слоев a-Si:H с обработкой каждого слоя в водородной плазме. В результате слоистые пленки состояли из чередующихся слоев с толщинами 16 нм и 2 нм, причем тонкие слои имели более высокое содержание водорода (до 20%). Установлено, что до отжига как в однородных, так и в слоистых пленках во всей температурной области измерений наблюдалась проводимость по делокализованным состояниям с активационной температурной зависимостью. Установлено, что до отжига как в однородных, так и в слоистых пленках во всей температурной области измерений наблюдалась проводимость по делокализованным состояниям с активационной температурной зависимостью. Получено, что для однородных пленок имеет место трехмерная прыжковая проводимость по оборванным связям кремния, образованным в результате эффузии водорода при высокотемпературном отжиге. Получено, что для слоистых пленок - двумерная прыжковая проводимость по оборванным связям кремния. Двумерный характор прыжковой проводимости слоистых пленок показывает, что эффективность образования оборванных связей существенно выше в узких слоях с высоким содержанием водорода. Показано, что путем измерения температурной зависимости прыжковой проводимости возможно контролировать возрастание плотности состояний в щели подвижности в результате образования оборванных связей при эффузии водорода при высокотемпературном отжиге и получать информацию о механизме их образования. Исследовано влияние термического отжига пленок микрокристаллического гидрированного кремния mc-Si:H, слабо легированных бором, на спектральные зависимости коэффициента поглощения (a) в области энергий квантов hn =0.8-2.0 эВ, темновую проводимость (sd ) и стационарную фотопроводимость. Исследовано влияние облучения электронами с энергией 40 кэВ на спектральную зависимость коэффициента поглощения, проводимость и фотопроводимость нелегированных пленок mc-Si:H. Предложена модель образования метастабильных дефектов в mc-Si:H при электронном облучении. Проведены сравнительные исследования кинетика релаксации фотоиндуцированных метастабильных состояний в высокоомных пленках a-Si:H, слабо легированных бором, в условиях слабой подсветки и в темноте. Установлено, что кинетика уменьшения концентрации созданных сильным предварительным освещением фотоиндуцированных метастабильные электрически активные атомы примеси в процессе релаксации при слабой подсветке определяется не только термическим отжигом и фотоиндуцированным образованием метастабильные электрически активные атомы примеси, но и фотоиндуцированным отжигом. се