Изучение локальной структуры полупроводниковых лазеров с наноразмерной активной областью.

Диагностирование наноразмерных дефектов и фазовых переходов совершенных кристаллов, пленок и многослойных наносистем методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей.

Малоугловое рассеяние рентгеновских лучей в режиме скользящего падения (GISAXS) для исследования сверхрешеток в оптоэлектронных приборах.

Моделирование процессов образования сверхструктур в нанотехнологиях методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей.

Изучение физических закономерностей формирования и деградации нанокристаллической структуры и механических свойств в слоях и объемных кристаллах Al2O3, Ga2O3, Cr2O3, GaN.

Исследование вариации плотности кристаллических, поликристаллических и аморфных материалов методом малоуглового рассеяния рентгеновских лучей.

Ключевые слова: Рентгеновские лучи; малоугловое рассеяние; эффект Бормана; принцип двойственности-неопределенности Бабине; EXAFS; поглощение; доменообразование; сверхструктуры; динамика решетки; кристаллография; дифрактометрия / X-ray; Babinet principle; EXAFS; absorption; domain formation; Borrman effect; lattice dynamics; crystallography; Diffractometry; Small-Angle Scattering; superstructure