Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
В связи с техническими работами в центре обработки данных, часть прикреплённых файлов в настоящее время недоступна.
скрыть
Шишкарев В.В.
Соавторы:
Соколовский В.Р.
,
Булярский С.В.
3 статьи
IstinaResearcherID (IRID): 39716341
Деятельность
Статьи в журналах
1999
Сегнетоэлектрический композиционный материал для конденсаторных толстых пленок
Шишкарев В.В.
,
Булярский С.В.
,
Соколовский В.Р.
в журнале
Известия Вузов сер. электроника
, № 5, с. 21-26
Статьи в сборниках
1999
Твердые растворы BaTiO3-BaZrO3 с высокой диэлектрической проницаемостью для толстопленочных конденсаторов
Шишкарев В.В.
,
Булярский С.В.
,
Соколовский В.Р.
в сборнике
Ученые записки Ульяновского государственного университета. Твердотельная электроника. Под ред. С.В. Булярского
, серия
физическая
, место издания
СВНЦ Ульяновск
, том 2, с. 81-83
1996
Простая модель для расчета диэлектрической проницаемости композиционного материала в толстопленочных конденсаторах
Шишкарев В.В.
,
Соколовский В.Р.
в сборнике
Ученые записки Ульяновского государственного университета. Твердотельная электроника. Под ред. С.В. Булярского
, серия
физическая
, место издания
СВНЦ Ульяновск
, том 1, с. 154-159