–
Тезисы докладов
-
- 2021 Study of silicon carbide surface at different stages of doping by nitrogen atoms
- Andalashvili M.Z., Presnov D.E., Minnebaev D.K., Rogozin A.E., Miakonkikh A.V., Lubenchenko A.V., Tsiniaikin I.I., Krupenin V.A., Trifonov A.S.
- в сборнике Proceedings of International Confernce "Micro- and Nanoelectronics - 2021" (ICMNE-2021): Book of abstracts, издательство ООО "МАКС Пресс" (Москва), тезисы, с. P2-05-167 DOI
- редакторы Лукичев Владимир Федорович, Руденко Константин Васильевич
Доклады на научных конференциях
-
- 2021 Study of silicon carbide surface at different stages of doping by nitrogen atoms (Стендовый)
- Авторы: Andalashvili M.Z., Presnov D.E., Minnebaev D.K., Rogozin A.E., Miakonkikh A.V., Lubenchenko A.V., Tsiniaikin I.I., Krupenin V.A., Trifonov A.S.
- ICMNE-2021, г. Звенигород, РФ, Россия, 4-8 октября 2021