ИСТИНА

Rappich J.

Соавторы: Тимошенко В.Ю., Дитрих Т., Кытин В.Г., Koch F., Lips K., Sieber I., Булычев Б.М., Кульбачинский В.А., Лунин Р.А., Похолок К.В., KAMENEV V., Кречетов А.В., Петренко А.А. показать полностью..., Duzhko V., Fussel W., Kliefoth K., LEWERENZ H., Richardson V., Schwartzkopff M., Tsybeskov L., Кашкаров П.К.

21 статья, 1 доклад на конференции, 1 тезисы доклада

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 296, Scopus: 349

IstinaResearcherID (IRID): 847474

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2004 Heterometallic fullerides of Fe and Cu groups with the composition K2MC60 (M=Fe+2, Fe+3, CO+2, Ni+2, Cu+1, Cu+2, Ag+1)
    • Bulychev B.M., Lunin R.A., Krechetov A.V., Kulbachinskii V.A., Kytin V.G., Poholok K.V., Lips K., Rappich J.
    • в журнале Journal of Physics and Chemistry of Solids, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 65, № 2-3, с. 337-342 DOI
  • 
    • 2002 Non-radiative recombination at reconstructed Si surfaces
    • Dittrich T., Bitzer T., Rada T., Timoshenko V.Y., Rappich J.
    • в журнале Solid-State Electronics, издательство Pergamon Press Ltd. (United Kingdom), том 46, № 11, с. 1863-1872 DOI
  • 
    • 2001 Defect transformation under growth of submonolayer oxides on silicon surfaces at low temperatures
    • Dittrich T., Bitzer T., Rada T., Richardson N.V., Timoshenko V.Y., Rappich J., Koch F.
    • в журнале Microelectronic Engineering, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 59, № 1-4, с. 399-404 DOI
  • 
    • 2001 Injection photovoltage in thin anodic TiO2 layers
    • Kytin V., Duzhko V., Timoshenko V.Y., Rappich J., Dittrich T.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 185, № 2, с. R1-R3 DOI
  • 
    • 2001 Room temperature electroluminescence from a c-Si p-i-n structure
    • Dittrich T., Timoshenko V.Y., Rappich J., Tsybeskov L.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 90, № 5, с. 2310-2313 DOI
  • 
    • 2000 Annihilation of nonradiative defects on hydrogenated silicon surfaces under pulsed-laser irradiation
    • Timoshenko V.Y., Dittrich T., Koch F., Kamenev B.V., Rappich J.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 77, № 19, с. 3006-3008 DOI
  • 
    • 2000 Is there a limit for the passivation of Si surfaces during anodic oxidation in acidic NH4F solutions?
    • Rappich J., Timoshenko V.Y., Wurz R., Dittrich T.
    • в журнале Electrochimica Acta, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 45, № 28, с. 4629-4633 DOI
  • 
    • 2000 Laser-induced melting of porous silicon
    • Timoshenko V.Y., Dittrich T., Sieber I., Rappich J., Kamenev B.V., Kashkarov P.K.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 182, № 1, с. 325-330 DOI
  • 
    • 2000 Photoluminescence characterization of non-radiative defect density on silicon surfaces and interfaces at room temperature
    • Timoshenko V.Y., Petrenko A.B., Dittrich T., Fussel W., Rappich J.
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 364, № 1-2, с. 196-199 DOI
  • 
    • 1999 Effect of local surface structure on electronic properties of hydrogenated silicon surfaces
    • Dittrich T., Timoshenko V.Y., Schwartzkopff M., Hartmann E., Rappich J., Kashkarov P.K., Koch F.
    • в журнале Microelectronic Engineering, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 48, № 1-4, с. 75-78 DOI
  • 
    • 1999 Effect of roughness of hydrogenated Si(111) surfaces on defect annealing and formation under excimer laser irradiation
    • Timoshenko V.Y., Dittrich T., Rappich J.
    • в журнале Physica status solidi (A): Applied research, издательство Academic Press (United States), том 173, № 2, с. R3-R4 DOI
  • 
    • 1999 Quantitative analysis of room temperature photoluminescence of c-Si wafers excited by short laser pulses
    • Timoshenko V.Y., Petrenko A.B., Stolyarov M.N., Dittrich T., Fuessel W., Rappich J.
    • в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 85, № 8, с. 4171-4175 DOI
  • 
    • 1998 Express characterization of indirect semiconductor surfaces by in situ photoluminescence during chemical and electrochemical treatments
    • Timoshenko V.Y., Rappich J., Dittrich T.
    • в журнале Applied Surface Science, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 123, с. 111-114 DOI
  • 
    • 1998 Unusual stabilization of Si surfaces during roughening in fluoride solution
    • Dittrich T., Timoshenko V.Y., Rappich J.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 72, № 13, с. 1635-1637 DOI
  • 
    • 1997 Blocking effect of charge transfer at the porous silicon/silicon interface
    • Dittrich T., Rappich J., Timoshenko V.Y.
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 70, № 20, с. 2705-2707 DOI
  • 
    • 1997 Correlation between surface non-radiative recombination and current oscillation at p-Si(100) during electropolishing in fluoride solution
    • Rappich J., Timoshenko V.Y., Dittrich T.
    • в журнале Berichte der Bunsengesellschaft/Physical Chemistry Chemical Physics, том 101, № 1, с. 139-142
  • 
    • 1997 In situ monitoring of electrochemical processes at the (100) p-Si/aqueous NH4(F) electrolyte interface by photoluminescence
    • Rappich J., Timoshenko V.Y., Dittrich T.
    • в журнале Journal of the Electrochemical Society, издательство Electrochemical Society, Inc. (United States), том 144, № 2, с. 493-496 DOI
  • 
    • 1997 In situ photoluminescence analysis of nonradiative recombination on silicon surfaces treated in fluoride solution
    • Timoshenko V.Y., Rappich J., Dittrich T.
    • в журнале Japanese Journal of Applied Physics, издательство Institute of Pure and Applied Physics (Japan), том 36, № 1AB, с. L58-L60 DOI
  • 
    • 1996 Electronic properties of thin Au/nanoporous-Si/n-Si structures
    • Dittrich T., Kliefoth K., Sieber I., Rappich J., Rauscher S., Timoshenko V.Y.
    • в журнале Thin Solid Films, издательство Elsevier Sequoia (Switzerland), том 276, № 1-2, с. 183-186 DOI
  • 
    • 1995 ULTRATHIN LUMINESCENT NANOPOROUS SILICON ON N-SI - PH DEPENDENT PREPARATION IN AQUEOUS NH4F SOLUTIONS
    • DITTRICH T., RAUSCHER S., TIMOSHENKO VY, RAPPICH J., SIEBER I., FLIETNER H., LEWERENZ HJ
    • в журнале Applied Physics Letters, издательство AIP Publishing (United States), том 67, № 8, с. 1134-1136 DOI

• Статьи в сборниках

  • • 2004 Heterometallic fullerides of transition metals with the composition K2MC60”
    • Kulbachinskii V.A., Bulychev B.M., Lunin R.A., Krechetov A.V., Kytin V.G., Poholok K.V., Lips K., Rappich J.
    • в сборнике Mathematics, Physics and Chemistry: Hydrogen Materials and Chemistry of Carbon Nanomaterials (ed. by T.N. Vezioglu, S.Yu. Zaginaichenko, D.V. Shur, B. Baranowski, A.P. Shpak, V.V. Skorohod. ), серия Nato Science Series II, издательство Kluwer Academic Publishers (Netherlands), том 172, с. 185-192

• Доклады на конференциях

  • • 2014 In-situ photoluminescence monitoring of silicon nanowire growth during metal assisted chemical etching (Стендовый)
    • Авторы: Georgobiani V.A., Gonchar K.A., Sokolov S.A., Rappich J., Timoshenko V.Yu, Jerol U., Greil S.M., Osminkina L.A.
    • European Materials Research Society (E-MRS), Spring Meeting, Lille, France, Франция, 2014

• Тезисы докладов

  • • 2003 Superconductivity and magnetism in heterometallic fullerides of transition metals
    • Kulbachinskii V.A., Krechetov A.V., Kytin V.G., Lunin R.A., Bulychev B.M., Poholok K.V., Lips K., Rappich J.
    • в сборнике Abstracts of International Conference "Quantum complexities in condensed matter", Bukhara, Uzbekistan, August 21-28, 2003, место издания Bukhara, Uzbekistan, тезисы, с. 42