Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2004
Impedance of solid solutions based on gallium-doped lead telluride
Akimov B.A.,
Pryadun V.V.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 3, с. 281-283
DOI
2004
Interaction of infrared radiation with free carriers in mesoporous silicon
Osminkina L.A.
, Kurepina E.V.,
Pavlikov A.V.
,
Timoshenko V.Y.
, Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 5, с. 581-587
DOI
2004
Photoreflection studies of band offsets at the heterojunction in strained short-period GaAs/GaAsP superlattices
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
, Kolmakova T.P.,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 12, с. 1384-1389
DOI
2004
Specific features of electrical transport in anisotropically nanostructured silicon
Forsh P.A.
,
Osminkina L.A.
,
Timoshenko V.Y.
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 38, № 5, с. 603-606
DOI
2003
Effect of Illumination on the Rate of Relaxation of Light-Induced Metastable States in a-Si:H(B)
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Gromadin A.L.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 6, с. 753-755
2003
Effect of electron irradiation on optical and photoelectric properties of microcrystalline hydrogenated silicon
Kazanskii A.G.,
Forsh P.A.
,
Khabarova K.Y.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 9, с. 1076-1079
2003
Effect of electron irradiation on optical and photoelectric properties of microcrystalline hydrogenated silicon
Kazanskii A.G.
,
Forsh P.A.
, Khabarova K.Y., Chukichev M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 9, с. 1076-1079
DOI
2003
Effect of thermal annealing on optical and photoelectric properties of microcrystalline hydrogenated silicon films
Kazanskii A.G.
, Mell H.,
Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 2, с. 224-226
DOI
2003
Electrical properties and luminescence spectra of light-emitting diodes based on InGaN/GaN heterostructures with modulation-doped quantum wells
Mamakin S.S.
,
Yunovich A.É.
,
Wattana A.B.
,
Manyakhin F.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 9, с. 1107-1113
DOI
2003
Electrical properties of FeIn2Se4 single crystals
Niftiev N.N., Alidzhanov M.A.,
Tagiev O.B.
, Muradov M.B.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 2, с. 165-167
2003
Electron transport in coupled quantum wells with double-sided doping
Galiev G.B.
,
Kaminskii V.E.
,
Mokerov V.G.
,
Kul'bachinskii V.A.
,
Lunin R.A.
,
Vasil'evskii I.S.
,
Derkach A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 6, с. 686-691
DOI
2003
Investigation of electronic transitions in coupled-quantum-well structures with a built-in electric field by photoreflectance spectroscopy
Galiev G.B.
,
Kaminskiǐ V.É.
,
Mokerov V.G.
,
Avakyants L.P.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
,
Kul’bachinskiǐ V.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 1, с. 77-81
DOI
2003
Laser ultrasonic study of porous silicon layers
Zharkii S.M.,
Karabutov A.A.
,
Pelivanov I.M.
,
Podymova N.B.
,
Timoshenko V.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 4, с. 468-472
DOI
2003
Photoinduced Annealing of Metastable Defects in Boron-Doped a-Si:H Films
Kurova I.A.
,
Ormont N.N.
,
Gromadin A.L.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 2, с. 131-133
2003
Photoinduced conductivity change in erbium-doped amorphous hydrogenated silicon films
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I., Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 7, с. 766-768
DOI
2003
Self-organization of laser-induced point defects at the initial stages of inelastic photodeformation in germanium
Vintsents SV
,
Zaitseva AV
,
Plotnikov GS
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 37, № 2, с. 124-130
2002
Cathodoluminescence of ZnO/GaN/alpha-Al2O3 heteroepitaxial structures grown by chemical vapor deposition
Chukichev M.V.
, Ataev B.M., Mamedov V.V.,
Alivov Y.I.
,
Khodos I.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 9, с. 977-980
2002
Effect of boron dopant on the photoconductivity of microcrystalline hydrogenated silicon films
Kazanskii A.G.
, Mell H., Terukov E.I.,
Forsh P.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 1, с. 38-40
DOI
2002
Low-threshold defect formation and modification of Ge surface layer under elastic and elastoplastic pulsed laser effects
Vintsents S.V.
,
Zaitsev V.B.
,
Zoteev A.V.
,
Plotnikov G.S.
,
Rodionov A.I.
,
Chervyakov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, с. 883-888
2002
Low-threshold defectformation and modification of Ge surface layer under elastic and elastoplastic pulsed laser effects
Vintsents SV
,
Zaitsev VB
,
Zoteev AV
,
Plotnikov GS
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 8, с. 883-888
2002
MICROWAVE PHOTOCONDUCTIVITY IN NANOCRYSTALLINE POROUS TITANIUM OXIDE SUBJECTED TO PULSED LASER EXCITATION
Konstantinova E.A.
, Timoshenko V.Yu,
Kashkarov P.K.
, Kytin V.G., Gaivoronskii V.Ya,
Porteanu H.
,
Dittrich Th
,
Koch F.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 3, с. 319-324
2002
Microwave photoconductivity in nanocrystalline porous titanium oxide subjected to pulsed laser excitation
Konstantinova E.A.
,
Timoshenko V.Y.
, Kashkarov P.K.,
Kytin V.G.
, Gaivoronskii V.Y.,
Porteanu H.
,
Dittrich T.
,
Koch F.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 3, с. 319-324
DOI
2002
Mixed vibrational modes of PbTe nanocrystallites
Belogorokhov A.I.
,
Belogorokhova L.I.
,
Khokhlov D.R.
,
Lemeshko S.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 6, с. 663-669
DOI
2002
On stabilization of the fermi level in Ga-doped PbTe-based alloys
Skipetrov E.P.
,
Zvereva E.A.
,
Skipetrova L.A.
,
Volkova O.S.
,
Slyn'ko E.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 1, с. 34-37
DOI
2002
Special features of recombination of nonequilibrium charge carriers in porous silicon with different nanostructure morphologies
Lisachenko M.G.
, Konstantinov E.A.,
Timoshenko V.Y.
, Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 36, № 3, с. 325-329
DOI
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>