Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
1996
Characteristic features of the magnetoresistance of Pb1-xSnxTe(In) and Pb1-xMnxTe(In) alloys in ultrastrong magnetic fields
deVisser A.
,
Ivanchik I.I.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 8, с. 737-742
1996
Characteristic features of transport phenomena in alternatively doped GaAs/Ga1-xAlxAs heterostructures
Brandt N.B.
,
Kulbachinskii V.A.
,
Kytin V.G.
,
Lunin R.A.
,
Kadushkin V.I.
, Shangina E.L.,
deVisser A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 4, с. 365-367
1996
Computer model of growth of an A(III)B(III)C(V)/A(III)C(V) heterojunction with a laterally inhomogeneous distribution of constituents A and B during molecular beam epitaxy
Peskov N.V.
,
Medvedev B.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 9, с. 886-890
1996
Effect of high-temperature annealing on the electrical and photoelectrical properties of compensated a-Si:H films containing boron and fluorine
Kurova I.A.
,
Miroshnik O.N.
,
Ormont N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 4, с. 391-392
1996
Effect of prolonged illumination on the properties of compensated hydrogenated silicon a-Si:H
Kazanskii A.G.
, Yarkin D.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 4, с. 397-399
1996
Electrochemical formation and optical properties of porous gallium phosphide
Zoteev A.V., Kashkarov P.K.,
Obraztsov A.N.
, Timoshenko V.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 8, с. 775-777
1996
Mechanisms for the effect of adsorption of molecules on recombination processes in porous silicon
Kashkarov P.K.
,
Konstantinova E.A.
,
Timoshenko V.Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 8, с. 778-783
1996
Photoconductivity kinetics in Pb1-xMnxTe(In) solid solutions with varying composition
Akimov B.A.
, Lvova N.A.,
Ryabova L.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 9, с. 861-863
1996
Quasistationary charge transport by a surface acoustic wave
Bugaev A.S.
,
Zakharova A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 1, с. 77-81
1996
Thermally induced depolarization currents in CaIn2S4 single crystal
Tagiev B.G.
,
Tagiev O.B.
,
Dzhabbarov R.B.
,
Musaeva N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 30, № 10, с. 946-948
1995
Determination of CdAs2 band-structure parameters from optical transmission and photoconductivity
Morozova V.A., Semenenya T.V., Loseva S.M.,
Koshelev O.G.
,
Marenkin S.F.
, Raukhman A.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 29, № 3, с. 199-202
1995
EFFECT OF THE SURFACE-POTENTIAL ON THE RAMAN-SCATTERING OF LIGHT IN INDIUM-PHOSPHIDE
OBRAZTSOV AN
,
GOMANYUK AA
,
MIKULENOK AV
, TERRA FS
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 29, № 11, с. 1087-1089
1995
INJECTION AND FIELD-IONIZATION OF TRAPS IN MNGA2SE4 SINGLE-CRYSTALS
Tagiev B.G.
,
Tagiev O.B.
,
Musaeva N.N.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 29, № 8, с. 728-731
1995
INTERBAND AUGER TRANSITIONS AND CHARGE-CARRIER LIFETIME IN DEGENERATE, NARROW-GAP, P-TYPE SEMICONDUCTORS
DMITRIEV AV
, EVLYUKHIN AB
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 29, № 10, с. 905-909
1995
Kinetics of the photoconductivity in PbTe(Ga)
Akimov B.A.
,
Albul A.V.
,
Ryabova L.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 29, № 12, с. 1125-1130
1995
Photoemf and photoinduced trapping of a charge in porous silicon
Matveeva A.B.,
Konstantinova E.A.
,
Timoshenko V.Y.
, Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 29, № 12, с. 1142-1146
1995
RAMAN-SCATTERING AND PHOTOLUMINESCENCE OF POROUS SILICON
KARAVANSKII VA,
OBRAZTSOV AN
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 29, № 4, с. 302-306
1995
STABILIZATION OF THE DONOR ACTION OF GALLIUM IN ELECTRON-IRRADIATED PB1-XSNXTE ALLOYS
SKIPETROV EP
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 29, № 8, с. 735-739
1994
CARRIER RECOMBINATION IN POROUS SILICON
KASHKAROV PK
,
TIMOSHENKO VY
,
KONSTANTINOVA EA
, PETROVA SA
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 1, с. 60-62
1994
CATHODOLUMINESCENCE OF CDTEFE
Vavilov V.S.
,
Rezvanov R.R.
,
Chukichev M.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 5, с. 522-523
1994
CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTICS OF STRUCTURES WITH GAAS VICINAL FACES DELTA-DOPED WITH TIN
KADUSHKIN VI
,
KULBACHINSKII VA
,
BOGDANOV EV
,
SENICHKIN AP
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 11, с. 1042-1045
1994
DRIFT MOBILITY OF ELECTRONS IN PHOSPHORUS-DOPED A-SIH
KAZANSKII A.G.
, YARKIN D.G.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 5, с. 519-521
1994
EFFECT OF ELECTRON-BOMBARDMENT ON THE ELECTRICAL-PROPERTIES OF PB1-XSNXTE(IN) ALLOYS
SKIPETROV EP
, NEKRASOV AN, KHOROSH AG
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 5, с. 478-483
1994
ELECTRICAL AND PHOTOELECTRIC PROPERTIES OF PBTE(GA) BOMBARDED BY ELECTRONS
SKIPETROV EP
, NEKRASOVA AN,
PELEKHOV DV
,
RYABOVA LI
,
SIDOROV VI
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 9, с. 906-911
1994
ELECTRICAL-PROPERTIES OF A-SIH(B) FILMS SUBJECTED TO INTENSE LIGHT-PULSES
KUROVA I.A.
,
LUPACHEVA A.N.
,
MELESHKO N.V.
,
ORMONT N.N.
,
AVAKYANZ L.P.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 28, № 1, с. 72-74
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>