Выберите категорию обращения:
Общие вопросы
Отчеты
Рейтинги
Мониторинговый отчёт
Диссертационные советы
Конкурсы
Ввод данных
Структура организаций
Аспирантура
Научное оборудование
Импорт педагогической нагрузки
Журналы и импакт-факторы
Тема обращения:
Описание проблемы:
Введите почтовый адрес:
ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
ИПМех РАН
Главная
Поиск
Статистика
О проекте
Помощь
Semiconductors
журнал
Индексирование: Scopus (1 января 1970 г.-), JCR (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в WoS (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Журналы РФ в Scopus (1 января 1970 г.-), Белый список (20 октября 2022 г.-)
Период активности журнала: не указан
Другие названия журнала:
Semiconductor
Сайт журнала:
https://www.springer.com/journal/11453
Издательство:
Springer
Местоположение издательства:
New York
ISSN:
1090-6479, 1063-7826 (Print)
Статьи, опубликованные в журнале
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>
2009
Electrical and optical properties of InN with periodic metallic in insertions
Komissarova T.A.
, Shubina T.V., Jmerik V.N.,
Ivanov S.V.
,
Ryabova L.I.
,
Khokhlov D.R.
, Vasson A.,
Leymarie J.
, Araki T.,
Nanishi Y.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 43, № 3, с. 285-288
DOI
2009
Electrical properties of layered FeGaInS4 single crystals with an alternating current
Niftiev N.N.
,
Tagiev O.B.
,
Muradov M.B.
,
Mamedov F.M.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 43, № 11, с. 1407-1409
2009
Emission spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum well heterostructures: Model of the two-dimensional joint density of states
Badgutdinov M.L.
,
Yunovich A.É.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 4, с. 672-676
2009
Ferromagnetism in diluted Pb1-x-yGexCryTe magnetic semiconductors
Skipetrov E.P.
,
Mikheev M.G.
,
Pakpour F.A.
,
Skipetrova L.A.
,
Pichugin N.A.
,
Slyn’ko E.I.
,
Slyn’ko V.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 43, № 3, с. 297-304
DOI
2009
Light-emitting diodes of “Warm” white luminescence on the basis of p-n heterostructures of the InGaN/AlGaN/GaN type coated with phosphors made of yttrium-gadolinium garnets
Soshchin N.P.
,
Galchina N.A.
,
Kogan L.M.
,
Shirokov S.S.
,
Yunovich A.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 43, № 5, с. 672-676
DOI
2009
Optical and structural characteristics of ga-doped zno films
Novodvorsky O.A.
, Gorbatenko L.S.,
Panchenko V.Ya
,
Khramova O.D.
,
Cherebilo Ye A.
,
Wenzel C.
,
Bartha J.W.
, Bublik V.T.,
Shcherbachev K.D.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 43, № 4, с. 419-424
DOI
2009
Optical and structural properties of thin films precipitated from the sol of silicon nanoparticles
Dorofeev S.G.
,
Kononov N.N.
,
Ishchenko A.A.
,
Vasil'ev R.B.
,
Goldschtrakh M.A.
,
Zaitseva K.V.
,
Koltashev V.V.
,
Plotnichenko V.G.
,
Tikhonevich O.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 43, № 11, с. 1420-1427
DOI
2009
Photoelectric and Electrical Properties of Soluble Polyphenylquinolines Containing an Oxygen or Phenylamine Bridge Group between Quinoline Moieties
Svetlychnyi V.M.
,
Miagkova L.A.
, Nekrasova T.N., Kudryavtsev V.V.,
Aleksandrova E.L.
,
Tameev A.R.
,
Vannikov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 43, № 3, с. 359-364
DOI
2008
Effect of Conditions of Deposition and Annealing of Indium Oxide Films Doped with Fluorine (IFO) on the Photovoltaic Properties of the IFO/
Untila G.G.
,
Kost T.N.
,
Chebotareva A.B.
,
Zaks M.B.
,
Sitnikov A.M.
,
Solodukha O.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 4, с. 406-413
DOI
2008
Electrical properties of FeIn2Se4 layered single crystals for alternating current
Niftiev N.N.
,
Tagiev O.B.
,
Muradov M.B.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 3, с. 263-265
2008
Emission spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum well heterostructures: Model of the two-dimensional joint density of states
Badgutdinov M.L.
,
Yunovich A.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 4, с. 429-438
DOI
2008
Exchange enhancement of the g factor in InAs/AlSb heterostructures
Aleshkin V.Y.
,
Gavrilenko V.I.
,
Ikonnikov A.V.
,
Krishtopenko S.S.
,
Sadofyev Y.G.
,
Spirin K.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 7, с. 828-833
DOI
2008
Intrinsic luminescence of Tb in metal-polymer complexes of polyamide acids
Lebedev É.A., Goikhman M.Y.,
Zhigunov D.M.
, Podeshvo I.V., Nikitin S.E.,
Forsh P.A.
, Kudryavtsev V.V., Yakimanski\u\i
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 5, с. 604-607
DOI
2008
Photoconductivity of thin a-Si : H films
Kazanskii A.G.
,
Koshelev O.G.
,
Sazonov A.Yu
,
Khomich A.A.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 2, с. 192-194
DOI
2008
Photoluminescence in semiconductor structures based on butyl-substituted erbium phthalocyanine complexes
Belogorokhov I.A.
,
Ryabehikov Yu V.
,
Tikhonov E.V.
,
Pushkarev V.E.
,
Breusova M.O.
,
Tomilova L.G.
,
Khokhlov D.R.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 42, № 3, с. 321-324
DOI
2007
EBIC measurements of small diffusion length in semiconductor structures
Yakimov E.B.
,
Borisov S.S.
,
Zaitsev S.I.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 4, с. 411-413
2007
ENHANCEMENT OF THE RAMAN SCATTERING IN GROOVED SILICON STRUCTURES
Zoteev A.V.
,
Golovan L.A.
,
Krutkova E.Yu
, Laktyun'Kin A.V.,
Mamichev D.A.
,
Kashkarov P.K.
,
Timoshenko V.Yu
,
Astrova E.V.
,
Perova T.S.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 8, с. 970-972
2007
Electroluminescence spectra of ultraviolet light-emitting diodes based on p-n-heterostructures coated with phosphors
Kogan L.M.
,
Soshchin N.P.
,
Shirokov S.S.
,
Yunovich A.E.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 9, с. 1126-1131
DOI
2007
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
Avakyants L.P.
,
Badgutdinov M.L.
,
Bokov P.Yu
,
Chervyakov A.V.
, Shirokov S.S.,
Yunovich A.E.
, Bogdanov A.A., Vasil’Eva E.D., Nikolaev D.A., Feopentov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 9, с. 1060-1066
DOI
2007
Electroreflectance spectra of InGaN/AlGaN/GaN quantum-well heterostructures
Avakyants L.P.
,
Badgutdinov M.L.
,
Bokov P.Yu
, Chervyakov A.V.,
Shirokov S.S.
,
Yunovich A.E.
,
Bogdanov A.A.
,
Vasil’eva E.D.
,
Nikolaev D.A.
,
Feopenyov A.V.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 9, с. 1060-1066
DOI
2007
FORMATION OF NANOPARTICLES ON THE SILICON SURFACE UNDER THE EFFECT OF FEMTOSECOND LASER PULSES
Zabotnov S.V.
,
Ezhov A.A.
,
Golovan L.A.
,
Lastovkina M.A.
,
Panov V.I.
,
Timoshenko V.Yu
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 8, с. 998-1001
2007
Ferromagnetism and Anomalous Transport in GaAs Doped by Implantation of Mn and Mg Ions
Kul’bachinski V.A.
,
Gurin P.V.
,
Danilov Yu A.
,
Malysheva E.I.
,
Horikoshi Y.
,
Onomitsu K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 6, с. 655-659
2007
Formation of nanoparticles on the silicon surface under the effect of femtosecond laser pulses
Zabotnov S.V.
,
Ezhov A.A.
,
Golovan' L.A.
,
Lastovkina M.A.
,
Panov V.I.
, Yu V.Timoshenko,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 8, с. 998-1001
DOI
2007
Frenkel thermal-field effect in MnGaInS4 layered single crystals
Niftiev N.N.
,
Tagiev O.B.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 1, с. 15-17
2007
MODIFICATION OF THE PROPERTIES OF POROUS SILICON ON ADSORPTION OF IODINE MOLECULES
Vorontsov A.S., Osminkina L.A.,
Tkachenko A.E.
,
Konstantinova E.A.
, Elenskiǐ V.G.,
Timoshenko V.Yu
,
Kashkarov P.K.
в журнале
Semiconductors
, издательство
Springer
(New York)
, том 41, № 8, с. 953-957
Страницы:
<< предыдущая
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
следующая >>