Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Mollaev A.Y.
Mollaev A.Y.
IstinaResearcherID (IRID): 1753623
Статьи в журналах Тезисы докладов
–

Статьи в журналах

    • 2004 Electronic and structural transitions in Pb1-xGexTe : Ga alloys under pressure
    • Skipetrov E.P., Zvereva E.A., Volkova O.S., Golubev A.V., Mollaev A.Y., Arslanov R.K., Slyn'ko V.E.
    • в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 38, № 10, с. 1164-1167 DOI

Тезисы докладов

    • 2012 Valence band modification and polarization modes in p-AlGaAs/GaAsP/n-AlGaAs under uniaxial compression
    • Mollaev A.Yu, Minina N.Ya, Kissel H., Bogdanov E.V.
    • в сборнике Book of abstracts. 15th International Conference on High Pressure Semiconductor Physics - HPSP15, Montpellier, July 25-27 2012, место издания Montpellier, France, тезисы, с. P.!.3

ИПМех РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь