Создать обращение в службу поддержки пользователей
Обращение успешно создано! Ему присвоен номер 0.
На адрес Вашей электронной почты отправлено письмо о регистрации обращения. Вы можете ответить на него, если хотите предоставить дополнительную информацию или прикрепить файлы.
Произошла ошибка при создании обращения. Попробуйте перезагрузить страницу и заново создать обращение.

Подтверждение выхода

Вы действительно хотите завершить сессию?
ИСТИНА ИСТИНА
Войти в систему
Регистрация
  • Область интересов
  • Публикации
  • НИР и НИОКР
  • Доклады
  • Учебная работа
  • Инновации
  • Прочее
  • Все результаты
Удаление сотрудника
Вы действительно хотите удалить сотрудника?
Удалить
Losev G.D.
Losev G.D.
IstinaResearcherID (IRID): 7874716
–

Статьи в сборниках

    • 2014 Experimental determination of the subband effective mass and the electron mobility in the isomorphic InGaAs quantum well with InAs inserts on InP substrate
    • Kulbachinskii V.A., Oveshnikov L.N., Lunin R.A., Yuzeeva N.A., Losev G.D., Galiev G.B., Klimov E.A., Maltsev P.P.
    • в сборнике Proceedings, 22nd International Symposium NANOSTRUCTURES: Physics and Technology, June 23-27, St. Petersburg, место издания A.I. Ioffe Institute Saint Petersburg, с. 39-40

ИПМех РАН
© 2011-2025 Лаборатория 404. НИИ механики МГУ.
Правила пользования
Помощь
Создать обращение Обратная связь