ИСТИНА

Voitsekhovskii A.V.

Соавторы: Кульчицкий Н.А., Дзядух С.М., Несмелов С.Н., Drozhzhov Y.P., Dvoretsky S.A., VARAVIN V., Vyalyi N.G., Чукичев М.В., Якушев М.В.

4 статьи

Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 2

IstinaResearcherID (IRID): 50964780

Деятельность

• Статьи в журналах

  • 
    • 2021 Investigation of the differential resistance of mis structures based on n-Hg0.78Cd0.22Te with near-surface graded-gap layers
    • Voitsekhovskii A.V., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M., Dvoretskii S.A., Kulchitskii N.A., Varavin V.S., Mikhailov N.N., Yakushev M.V., Sidorov G.Y.
    • в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 66, № 3, с. 337-339
  • 
    • 2018 Admittance of MIS Structures Based on MBE Hg 1– xCdxTe (x = 0.21–0.23) in a Wide Temperature Range
    • Voitsekhovskii A.V., Kulchitsky N.A., Nesmelov S.N., Dzyadukh S.M.
    • в журнале Journal of Communications Technology and Electronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 63, № 9, с. 1112-1118
  • 
    • 1978 VISIBLE CATHODOLUMINESCENCE OF (GAAS)X(ZNSE)1-X SOLID-SOLUTIONS
    • Voitsekhovskii A.V., Vyalyi N.G., Drozhzhov Y.P., Chukichev M.V.
    • в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 12, № 12, с. 1431-1433

• Статьи в сборниках

  • • 1999 CARRIERS LIFETIME IN HG1-XCDXTE GROWN BY MOLECULAR BEAM EPITAXY
    • Voitsekhovskii A.V., Denisov Yu A., Kokhanenko A.P., Kulchitskii N.A.
    • в сборнике Proceedings of the 1998 International Conference on Solid State Crystals, ICSSC'98 : Epilayers and Heterostructures in Optoelectronics and Semiconductor Technology, место издания State Committee Science Res., SPIE, Technical University Lodz, Committee of Crystallography, Polish Society for Crystal Growth Zakopane, POL, с. 286-290