Области научных интересов
Ключевые слова: полупроводники; наноструктуры; квантовые ямы; межзонное туннелирование; резонансное туннелирование; диссипативные структуры; кинетические эффекты / Semiconductors; nanostructures; quantum wells; interband tunnelling; resonant tunnelling; dissipative structures; kinetic effects
Статьи в журналах
-
- 2012 Optical anisotropy of InAs/GaSb broken-gap quantum wells
- Zakharova A.A., Semenikhin I.A., Chao K.A.
- в журнале Journal of Experimental and Theoretical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 114, № 5, с. 731-737 DOI
-
- 2012 Optical Anisotropy of InAs/GaSb Broken-Gap Quantum Wells
- Zakharova A.A., Semenikhin I.A., Chao K.A.
- в журнале Журнал экспериментальной и теоретической физики, том 141, № 5, с. 840-847
-
- 2011 Spin-related phenomena in InAs/GaSb quantum wells
- Zakharova A., Semenikhin I., Chao K.A.
- в журнале JETP Letters, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 94, № 8, с. 660-664 DOI
-
- 2011 Spin-Related Phenomena in InAs/GaSb Quantum Wells
- Zakharova A., Semenikhin I., Chao K.A.
- в журнале Письма в "Журнал экспериментальной и теоретической физики", том 94, № 8, с. 704-709
-
- 2010 Intersubband Optical Transitions in InAs/GaSb Quantum Wells
- Semenikhin I.A., Zakharova A.A., Chao K.A.
- в журнале Russian Microelectronics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 39, № 1, с. 63-72 DOI
-
- 2010 Межподзонные оптические переходы в квантовых ямах типа InAs/GaSb
- Семенихин И.А., Захарова А.А., Chao K.A.
- в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 39, № 1, с. 68-77
-
- 2010 Laser generation in broken-gap heterostructures
- Semenikhin I., Chao K.A., Zakharova A.
- в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 7521 DOI
-
- 2010 Electron optical spin polarization in broken-gap heterostructures
- Zakharova A., Chao K.A., Semenikhin I.
- в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 7521 DOI
-
- 2009 Межподзонные оптические переходы в структурах с разрывом запрещенной зоны
- Семенихин И.А., Захарова А.А., Chao K.A.
- в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 20, с. 57-65
-
- 2008 Optical absorption of polarized light in InAs/GaSb quantum wells
- Zakharova A., Semenikhin I., Chao K.A.
- в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 23, № 12 DOI
-
- 2008 Intersubband optical transitions in InAs/GaSb broken-gap quantum wells
- Semenikhin I., Zakharova A., Nilsson K., Chao K.A.
- в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 7025 DOI
-
- 2008 Effect of nonrelativistic interface Hamiltonian on optical transitions in broken-gap heterostructures
- Semenikhin I., Zakharova A., Chao K.A.
- в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 77, № 11 DOI
-
- 2007 Effects of bulk inversion asymmetry and low interface symmetry on the optical properties of broken-gap heterostructures
- Semenikhin I., Zakharova A., Nilsson K., Chao K.A.
- в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 76, № 3 DOI
-
- 2007 Carrier transport in broken-gap heterostructures tuned by a magnetic field
- Nilsson K., Zakharova A., Semenikhin I., Chao K.A.
- в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 75, № 20 DOI
-
- 2006 Cyclotron masses and g-factors of hybridized electron-hole states in InAs/GaSb quantum wells
- Nilsson K., Zakharova A., Lapushkin I., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 74 DOI
-
- 2006 Spin polarization of an electron-hole gas in InAs/GaSb quantum wells under a dc current
- Zakharova A., Lapushkin I., Nilsson K., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 73, № 12 DOI
-
- 2005 Six-band k·p calculation of spin-dependent interband tunneling in strained broken-gap heterostructures under a quantizing magnetic field
- Zakharova A., Nilsson K., Chao K.A., Yen S.T.
- в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 72, № 11 DOI
-
- 2005 Effects of Lattice Mismatch and Bulk Anisotropy on Interband Tunneling in Broken-Gap Heterostructures
- Zakharova A., Yen S.T., Nilsson K., Chao K.A.
- в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 97, № 6 DOI
-
- 2004 Electronic band structure and semimetal–semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells
- Lapushkin I., Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 5401, с. 472-481 DOI
-
- 2004 New peculiarities of interband tunneling in broken-gap heterostructures
- Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 5401, с. 392-401 DOI
-
- 2004 A self-consistent investigation of the semimetal–semiconductor transition in InAs/GaSb quantum wells under external electric fields
- Lapushkin I., Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 16, № 26, с. 4677-4684 DOI
-
- 2004 Landau level structures and semimetal-semiconductor transition in strained InAs/GaSb quantum wells
- Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 69, № 11 DOI
-
- 2003 Electron and hole effective g factors in InAs/GaSb quantum wells
- Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале International Journal of Nanoscience, издательство World Scientific Publishing Co (Singapore), том 2, № 6, с. 437-444 DOI
-
- 2003 Quantum computer on InAs/GaSb heterostructures
- Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале Proceedings of SPIE - The International Society for Optical Engineering, издательство SPIE, the International Society for Optical Engineering (Bellingham, WA, United States), том 5128, с. 201-212 DOI
-
- 2002 Influence of band state mixing on interband magnetotunnelling in broken-gap heterostructures
- Zakharova A., Chao K.A.
- в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 14, № 19, с. 5003-5016 DOI
-
- 2002 Strain-induced semimetal-semiconductor transition in InAs/GaSb broken-gap quantum wells
- Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 66, № 8 DOI
-
- 2001 Hybridization of electron, light-hole, and heavy-hole states in InAs/GaSb quantum wells
- Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- в журнале Physical Review B, издательство American Physical Society (United States), том 64, № 23 DOI
-
- 2000 Interband resonant tunnelling in quantizing magnetic field
- Zakharova A.
- в журнале Solid State Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 113, № 10, с. 599-602 DOI
-
- 1999 Modeling of the current––voltage charateristics of InAs/AlGaSb/GaSb double barrier diodes with interband resonant tunnelling
- Lapushkin I., Zakharova A., Gergel V.
- в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 14, № 8, с. 731-735 DOI
-
- 1999 Theoretical investigation of interband magnetotunnelling in semiconductor heterostructures
- Zakharova A.
- в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 14, с. 68-75
-
- 1999 Interband resonant magnetotunnelling in semiconductor heterostructures
- Zakharova A.
- в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 11, № 24, с. 4675-4688 DOI
-
- 1998 Interband resonant tunneling in superconductor heterostructures in a quantizing magnetic field
- Zakharova A.A.
- в журнале Physics of the Solid State, издательство Pleiades Publishing, Ltd (Road Town, United Kingdom), том 40, № 11, с. 1923-1928 DOI
-
- 1998 Межзонное резонансное туннелирование в полупроводниковых гетероструктурах в квантующем магнитном поле
- Захарова А.А.
- в журнале Физика твердого тела, издательство Наука (СПб.), том 40, № 11, с. 2121-2126
-
- 1998 Interband tunnelling in semiconductor heterostructures
- Zakharova A.
- в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 13, № 6, с. 569-575 DOI
-
- 1997 Modeling of the current—voltage characteristics of the resonant tunneling structures
- Gergel V.A., Khrenov G.Yu, Lapushkin I.Yu, Shchamkhalova B.S., Zakharova A.A.
- в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 13, с. 16-25
-
- 1997 Self–consistent modeling of the current—voltage characteristics of resonant tunneling structures with type II heterojunctions
- Lapushkin I., Gergel V., Zakharova A., Goronkin H., Tehrani S.
- в журнале Journal of Applied Physics, издательство AIP Publishing (United States), том 82, № 5, с. 2421-2426 DOI
-
- 1997 Phonon-assisted interband tunnelling in single-barrier structures with type II heterojunctions
- Zakharova A.
- в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 9, № 22, с. 4635-4642 DOI
-
- 1996 Quasistationary charge transport by a surface acoustic wave
- Bugaev A.S., Zakharova A.A.
- в журнале Semiconductors, издательство Springer (New York), том 30, № 1, с. 77-81
-
- 1996 Self–consistent calculation of current—voltage characteristics of resonant tunnelling structures with type II heterojunctions
- Gergel V., Lapushkin I., Zakharova A.
- в журнале Solid State Electronics, том 39, № 10, с. 1445-1448 DOI
-
- 1996 Self–consistent I—V characteristic calculation of RTS with type II heterojunctions
- Gergel V.A., Lapushkin I., Zakharova A.A.
- в журнале Труды Физико-технологического института, издательство Физико-технологический институт РАН (Москва), том 11, с. 56-60
-
- 1996 Population inversion in narrow gap heterostructures due to the interband tunnelling
- Zakharova A.A., Vasko F.T.
- в журнале Superlattices and Microstructures, издательство ELSEVIER SCIENCE BV (PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE), том 19, № 4, с. 273-278 DOI
-
- 1996 Квазистационарный перенос заряда поверхностной акустической волной
- Бугаев А.С., Захарова А.А.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 30, № 1, с. 133-141
-
- 1995 Resonant tunnelling in type II heterojunctures
- Zakharova A.A., Gergel V.A.
- в журнале Solid State Communications, издательство Elsevier BV (Netherlands), том 96, № 4, с. 209-213 DOI
-
- 1994 Spin orientation due to longotudinal current and interband tunnelling in narrow–gap heterostructures
- Zakharova A., Vasko F.T., Ryzhii V.
- в журнале Journal of Physics Condensed Matter, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 6, № 37, с. 7537-7546 DOI
-
- 1994 Semiclassical interband tunnelling probability in semiconductor heterostructures
- Zhakharova A., Ryzhii V., Pesotzkii V.
- в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 9, № 1, с. 41-48 DOI
-
- 1993 Acoustic instability in narrow-gap semiconductors with a nonequilibrium plasma under auger recombination conditions
- Zakharova A.A.
- в журнале Acoustical Physics, издательство Maik Nauka/Interperiodica Publishing (Russian Federation), том 39, № 4, с. 336-339
-
- 1993 Negative differential resistance of single barrier interband tunnelling diodes
- Khrenov G., Ryzhii V., Zhakharova A.
- в журнале Solid State Electronics, том 36, № 9, с. 1325-1333 DOI
-
- 1993 Semiclassical theory of interband tunnelling in semiconductor heterostructures
- Ryzhii V., Zakharova A.
- в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 8, с. 377-382 DOI
-
- 1993 Акустическая неустойчивость в узкощелевых полупроводниках с неравновесной плазмой в условиях Оже–рекомбинации
- Захарова А.А.
- в журнале Акустический журнал, издательство ФГБУ "Издательство "Наука" (Москва), том 39, № 4, с. 639-645
-
- 1992 Quasi-paticle tunneling effects in structures based on type II heterojunctions
- Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
- в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 26, № 7, с. 660-664
-
- 1992 Tunnelling processes in broken-gap heterostructures
- Ryzhii V.I., Zakharova A.A.
- в журнале Semiconductor Science and Technology, издательство IOP Publishing ([Bristol, UK], England), том 7, № 7, с. 980-984 DOI
-
- 1992 Эффекты туннелирования квазичастиц в структурах на основе гетеропереходов второго типа
- Захарова А.А., Рыжий В.И.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 26, № 7, с. 1182-1190
-
- 1991 Oscillations of the current-voltage characteristics of unipolar quantum-well transistor structures
- Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
- в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 25, № 3, с. 244-248
-
- 1991 Hot-electron relaxation due to equibrium density fluctuations in a hole plasma
- Fedirko V.A., Zakharova A.A.
- в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 25, № 9, с. 970-973
-
- 1991 Релаксация горячих электронов на равновесных флуктуациях плотности дырочной плазмы
- Федирко В.А., Захарова А.А.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 25, № 9, с. 1607-1612
-
- 1991 Осцилляции вольт–амперных характеристик монополярных транзисторных структур с квантовой ямой
- Захарова А.А., Рыжий В.И.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 25, № 3, с. 402-408
-
- 1990 Mathematical modeling of unsteady-state processes in bipolar heterojunction transistors based on a quasi-hydrodynamic model
- Zakharova A.A., Lukshin An V., Pishchalko V.D.
- в журнале Moscow University Computational Mathematics and Cybernetics, издательство Allerton Press Inc. (United States), том 1, № 1, с. 56-60
-
- 1990 Theory of hot-electron transport in heterostructure transistors
- Ershov M.Yu, Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
- в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 24, № 7, с. 796-800
-
- 1990 К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
- Ершов М.Ю., Захарова А.А., Рыжий В.И.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 24, № 7, с. 1265-1271
-
- 1990 Математическое моделирование нестационарных процессов в биполярных гетеротранзисторах на основе квазигидродинамической модели
- Захарова А.А., Лукшин А.В., Пищалко В.Д.
- в журнале Вестник Московского университета. Серия 15: Вычислительная математика и кибернетика, издательство Изд-во Моск. ун-та (М.), том 15, № 1, с. 59-64
-
- 1989 Generation of sound as a result of interaction of laser radiation with the surface of a semiconductor
- Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
- в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 23, № 11, с. 1223-1226
-
- 1989 Mechanism of formation of spatially inhomogeneous structures in semiconductors under the influence of high laser radiation
- Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
- в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 23, № 10, с. 1175-1176
-
-
- 1989 О генерации звука при воздействии на поверхность полупроводника лазерного излучения
- Захарова А.А., Рыжий В.И.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 23, № 11, с. 1986-1980
-
- 1989 О механизме образования пространственно–неоднородных структур в полупроводниках под действием мощного лазерного излучения
- Захарова А.А., Рыжий В.И.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 23, № 10, с. 1898-1900
-
- 1989 Высокочастотные характеристики биполярных гетеротранзисторов в условиях междудолинного перераспределения неравновесных носителей в базе
- Захарова А.А.
- в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 18, № 2, с. 158-161
-
-
- 1987 Особенности характеристик двойных гетероструктурных биполярных транзисторов типа n-p-n в условиях разогрева и охлаждения электронов и дырок в базе
- Захарова А.А.
- в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 16, № 2, с. 140-144
-
- 1986 Свойства биполярных гетеротранзисторов с двумя гетеропереходами при полной максвеллизации неравновесных носителей в базе
- Захарова А.А.
- в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 15, № 5, с. 460-462
-
- 1986 Расчет высокочастотных характеристик биполярных n-p-n гетеротранзисторов при консервативном переносе горячих электронов в базе
- Захарова А.А., Рыжий В.И.
- в журнале Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника, издательство Акционерное общество "Научно-исследовательский институт молекулярной электроники" (Москва), том 118, № 2, с. 3-9
-
-
-
- 1985 Высокочастотные характеристики биполярных гетеротранзисторов в условиях консервативного переноса горячих электронов в базе
- Захарова А.А., Рыжий В.И.
- в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 14, № 6, с. 521-524
-
- 1985 Высокочастотные свойства биполярных гетеротранзисторов при диффузионном переносе горячих электронов в базе
- Рыжий В.И., Захарова А.А., Панасов С.Н.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 19, № 3, с. 480-485
-
- 1984 Acoustic instability in semiconductor with a noniquilibrium electron-hole plasma
- Bugaev A.S., Gulyev Yu V., Zakharova A.A., Ryzhii V.I.
- в журнале Soviet Physics Semiconductors-Ussr, том 18, № 12, с. 1344-1346
-
- 1984 Акустическая неустойчивость в полупроводниках с неравновесной электронно–дырочной плазмой
- Бугаев А.С., Гуляев Ю.В., Захарова А.А., Рыжий В.И.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 18, № 12, с. 2155-2159
-
-
-
- 1983 Slowing of sound in a nonlinear, periodically modulated medium
- Balkarei Yu I., Bugaev A.S., Gulyaev Yu V., Zakharova A.A.
- в журнале Soviet Physics Acoustics-Ussr, том 29, № 5, с. 350-351
-
- 1983 Неустойчивость и температурные автоколебания в полистабильном полупроводниковом интерферометре Фабри–Перо
- Захарова А.А., Балкарей Ю.И., Григорьянц А.В.
- в журнале Квантовая электроника, издательство Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук (Москва), том 10, № 11, с. 2361-2363
-
- 1983 О замедлении звука в нелинейной, периодически модулированной среде
- Балкарей Ю.И., Бугаев А.С., Гуляев Ю.В., Захарова А.А.
- в журнале Акустический журнал, издательство ФГБУ "Издательство "Наука" (Москва), том 29, № 5, с. 590-592
-
- 1983 Резонансное усиление звука вблизи порога автоколебаний в полупроводниках при примесном и межзонном пробое
- Захарова А.А., Балкарей Ю.И., Бугаев А.С., Гуляев Ю.В.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 17, № 3, с. 413-417
-
-
- 1982 Stratification instability of switching front in an active trigger diffusive medium
- Balkareĭ Yu I., Zakharova A.A.
- в журнале Soviet Physics-Technical Physics, том 27, № 9, с. 1148-1150
-
- 1982 Особенности распространения ультразвука в слоистой структуре фотопроводник–сегнетоэлектрический интерферометр Фабри–Перо
- Балкарей Ю.И., Захарова А.А., Бугаев А.С., Гуляев Ю.В.
- в журнале Физика твердого тела, издательство Наука (СПб.), том 24, № 6, с. 1585-1588
-
- 1982 Неустойчивость фронта переключения в активной триггерной диффузионной среде относительно расслоения
- Балкарей Ю.И., Захарова А.А.
- в журнале Журнал технической физики, издательство Наука (СПб.), том 52, № 9, с. 1871-1873
-
- 1982 Об устойчивости фронта переключения в активной триггерной среде с диффузией
- Балкарей Ю.И., Захарова А.А.
- в журнале Журнал технической физики, издательство Наука (СПб.), том 52, № 3, с. 551-553
-
- 1981 О возможности создания полистабильных активных распределенных систем
- Балкарей Ю.И., Захарова А.А., Елинсон М.И.
- в журнале Микроэлектроника, издательство Общество с ограниченной ответственностью Интеграция: Образование и Наука (Москва), том 10, № 3, с. 260-263
-
-
- 1980 Термоконцентрационные автоколебания при оптическом возбуждении полупроводника вблизи края собственного поглощения
- Балкарей Ю.И., Захарова А.А.
- в журнале Физика и техника полупроводников, издательство Наука (СПб.), том 14, № 9, с. 1791-1793
Статьи в сборниках
-
- 2007 Effects of bulk inversion asymmetry on infrared optical transitions in InAs/GaSb quantum wells
- Semenikhin I., Zakharova A., Nilsson K., Chao K.A.
- в сборнике Proceedings of 15th International Symposium ”Nanostructures: Physics and Technology”, Novosibirsk, место издания Academic University Publishing Saint-Petersburg, с. 244-245
-
- 2004 Electronic Structures and Transport Properties of Broken-Gap Heterostructures
- Zakharova A., Lapushkin I., Yen S.T., Nilsson K., Chao K.A.
- в сборнике Recent Research Developments in Science & Technology of Semiconductors Transworld Research Network, место издания Kerala, том 2, с. 37-72
-
- 2004 Semimetal–semiconductor transition in broken–gap quantum wells under hydrostatic pressure
- Zakharova A., Yen S.T., Chao K.
- в сборнике Proceedings of 12th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, место издания St. Peterburg, с. 295-296
-
- 2003 Electron and hole effective g factors in InAs/GaSb quantum wells
- Zakharova A., Yen S.T., Chao K.A.
- в сборнике Proceedings of 11th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, место издания St. Petersburg, с. 96-98
-
- 1999 Investigation of the characteristics of interband resonant tunnelling diodes with modified barriers
- Lapushkin I., Zakharova A., Gergel V.
- в сборнике Proceedings of 7th International Symposium “Nanostructures: Physics and Technology”, место издания St. Petersburg, с. 276-279
-
- 1998 Interband magnetotunneling in RTS with type II heterojunctions
- Zakharova A.
- в сборнике Proceedings of International Symposium “Nanostructures : Physics and Technology”, June 22-26, 1998, место издания Ioffe Physico-Technical Institute RAS St Petersburg, Russia, с. 348-351
-
- 1997 Carrier transport processes in RTS with type II heterojunctions
- Gergel V., Lapushkin I., Zakharova A., Goronkin H., Tehrani S.
- в сборнике Compound Semiconductors 1996, ed. by Shur M.S. and Suris R.A, серия Institute of Physics Conference Series, издательство Institute of Physics Publishing. (Bristol, England), том 155, с. 77-80
-
- 1997 Interband tunnelling in RTS with type II heterojunctions
- Zakharova A.
- в сборнике Proceedings of International Symposium “Nanostructures : Physics and Technology”, место издания St. Peterburg, с. 516-519
-
- 1996 Phonon assisted interband tunnelling in single barrier structures with type II heterojunctions
- Zakharova A.
- в сборнике Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology, место издания Ioffe Institute St.Petersburg, Russia, 24-28 June, с. 227-230
-
-
- 1995 Tunnelling, quasi-bound states and non-equilibrium processes in RTS with type II heterojunctions
- Zakharova A., Gergel V.
- в сборнике Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology, место издания Ioffe St.Petersburg, Russia, 26-30 June, с. 265-268
-
-
- 1994 Non–equilibrium processes in a quantum well of the resonant interband tunnelling heterostructures
- Zakharova A.A., Gergel V.A., Petrov Igor
- в сборнике Abstracts of Invited Lectures and Contributed Papers of International Symposium - Nanostructures: Physics and Technology, место издания St. Peterburg, с. 289-291
-
- 1983 Самофокусировка плоских волн в нелинейной, периодически модулированной среде
- Захарова А.А., Балкарей Ю.И.
- в сборнике Физические явления в приборах электронной и лазерной техники, место издания МФТИ Москва, МФТИ, с. 46-49
-
- 1981 Исследование некоторых неоднородных стационарных решений уравнений Фитц–Хью–Нагумо
- Балкарей Ю.И., Захарова А.А.
- в сборнике Физические явления в приборах электронной и лазерной техники, место издания МФТИ Москва, МФТИ, с. 84-87
Ключевые слова
полупроводники, гетероструктуры, квантовые ямы, межзонное туннелирование, резонансное туннелирование, диссипативные структуры, кинетические эффекты
Semiconductors, heterostructures, quantum wells, interband tunnelling, resonant tunnelling, dissipative structures, kinetic effects